單晶碳化矽（SiC）是一種廣泛應用於高功率、高溫和高頻領域的半導體材料。它具有優異的熱穩定性和耐高溫特性，能夠承受高達1500°C的工作環境，遠超過傳統的矽材料。

單晶碳化矽的熱導率高，有助於散熱，提升系統效能。此外，其禁帶寬度寬達3.26 eV，使得它在高電壓、大電流和高頻工作下表現出色，適用於製作高效能的電力電子元件，如功率二極管、MOSFET和IGBT。

32BSG-V	FSG-2200	50ALWM	40GPAW-OSC 50GPAW-TD

單晶碳化矽還具有高機械強度和化學穩定性，對於各種苛刻的工作環境，如石油和天然氣開採等，也具有優良的耐磨性和抗腐蝕能力。

這些特性使得單晶碳化矽成為電動車、可再生能源及航太等領域的關鍵材料，

未來將在更多高端技術中發揮重要作用。

# 6 / 8 inch 碳化矽(SiC)磨拋